根據(jù)市場調(diào)研發(fā)現(xiàn)，5月21日，納微半導(dǎo)體宣布與英偉達達成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)，該技術(shù)將率先應(yīng)用于英偉達下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計算平臺。 

當(dāng)前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配電系統(tǒng)，功率限制在幾百千瓦（kW），依賴笨重的銅母線傳輸電力。隨著AI算力需求激增，單個機架功率突破200kW時，傳統(tǒng)架構(gòu)面臨效率下降、銅材消耗劇增等物理極限問題。800V架構(gòu)通過減少銅材使用量45%、降低電流傳輸損耗，可支撐吉瓦級AI計算負載。

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