目前從全球存儲芯片細分市場來看，DRAM和NAND Flash大約占據(jù)了近95%以上的市場份額，在2020年DRAM的銷售額約占總體的53%，NAND Flash約占比42%，與此同時DRAM存儲芯片的市場主要由三星、SK海力士和美光三大巨頭企業(yè)壟斷，由此可以看來全球存儲芯片市場的集中度較高，基本呈現(xiàn)寡頭企業(yè)壟斷的市場格局，下面將從存儲芯片細分市場和企業(yè)兩個方面來分析市場競爭格局。

存儲芯片細分產(chǎn)品競爭格局分析

目前全球存儲芯片細分產(chǎn)品以DRAM和NAND Flash為主，并且DRAM、NAND Flash和NOR Flash為全球存儲芯片領(lǐng)域的三大主流產(chǎn)品，在2020年其市場份額分別為53%和42%，NOR Flash約占1%，其他類型存儲芯片所占不到4%，主要包括EEPROM、EPPOM、ROM和SRAM等，市場集中度較高，大幅度搶占市場占有率的可能性很小。

從全球存儲芯片市場整體來看，行業(yè)集中度較高，在2020年DRAM、NAND Flash和NOR Flash的市場集中度穩(wěn)步保持在較高水平，其市場CR5分別達到了98.48%、89.17%和78.4%。

全球存儲芯片企業(yè)競爭格局分析

目前DRAM存儲芯片的市場主要由三星、SK海力士和美光三大企業(yè)壟斷，三家企業(yè)共同占據(jù)約95%以上的市場份額，其中三星的市場占有率高達50%，這種寡頭企業(yè)的市場壟斷格局使得中國企業(yè)對DRAM存儲芯片的市場控制度比較低，使得全球DRAM存儲芯片的市場進入壁壘居高不下，從2020年以來，其市場格局總體變化幅度很小，CR5雖然下降約至98.4%，但是市場仍然呈現(xiàn)高集中度。

其次是NAND Flash存儲芯片經(jīng)過不斷的發(fā)展，逐漸地形成了以三星、西部數(shù)據(jù)、美光SK海力士和英特爾等企業(yè)構(gòu)成的市場格局，在這種行業(yè)背景之下，中國等其他廠商市占率提升空間較小。

中國市場的企業(yè)競爭格局

中國的存儲芯片市場主要由國外巨頭企業(yè)主導(dǎo)，但是近年來國內(nèi)廠商快速發(fā)展，逐步實現(xiàn)技術(shù)水平突破和創(chuàng)新，其中兆易創(chuàng)新已經(jīng)進入NOR Flash細分市場領(lǐng)域的前三位，國內(nèi)企業(yè)中的華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新位列前三名，聚辰股份在EEPROM存儲芯片領(lǐng)域占據(jù)世界第三，市場占有率約為25.4%、22.5%和15.6%。

全球存儲芯片市場競爭格局總結(jié)

從全球存儲芯片市場競爭總體來看，在DRAM和NAND Flash細分產(chǎn)品市場中，三星、SK海力士和美光占據(jù)主導(dǎo)地位，國內(nèi)的企業(yè)以長江存儲、兆易創(chuàng)新和聚辰股份等為主，主要布局在NOR Flash和EEPROM存儲芯片領(lǐng)域，全球存儲芯片行業(yè)的市場集中度比較高，主要被國際巨頭企業(yè)所壟斷，行業(yè)進入壁壘高，潛在進入者的市場威脅不大。

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