從全球存儲芯片市場來看，市場增量空間不是非常大，但是中國國內(nèi)存儲芯片的市場增量空間卻很大，我國絕大多數(shù)的芯片都依賴于進(jìn)口，近幾年來在國家的大力支持之下，中國半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)逐步發(fā)展，同時也推動了中國存儲芯片的應(yīng)用場景不斷擴(kuò)大，但是當(dāng)前仍處于起步發(fā)展階段，全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash等市場份額主要被美國、日本和韓國等國家所占據(jù)，基于這種市場背景，北京研精畢智對中國存儲芯片市場進(jìn)行了深度分析，旨在為行業(yè)發(fā)展起到指導(dǎo)作用。

一、中國存儲芯片市場需求
芯片根據(jù)功能不同，可以分為存儲芯片、邏輯芯片、模擬芯片和微處理器芯片，根據(jù)研精畢智的報告顯示，近幾年來存儲芯片的市場規(guī)模處于穩(wěn)步增長的態(tài)勢，其產(chǎn)業(yè)銷售額在半導(dǎo)體整體銷售規(guī)模中占據(jù)越來越大的比例，在2019年約為40%左右。
其中中國存儲芯片市場銷售額逐年增長，2020年達(dá)到5127億元，在國內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)和5G技術(shù)持續(xù)發(fā)展的背景之下，國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模將會繼續(xù)提高，在2023年市場需求有望超過6500億元。
二、市場供給現(xiàn)狀
在如此大的市場需求之下，我國的存儲芯片自給率不到16%，其中大多數(shù)還是而受芯片和外資廠商在國內(nèi)生產(chǎn)的，由此看來，國內(nèi)存儲芯片的產(chǎn)值遠(yuǎn)不能與市場需求相匹配，因此提升產(chǎn)品自給率將是我國存儲芯片行業(yè)的重要目標(biāo)，根據(jù)國家的規(guī)劃到2025年，包括存儲芯片在內(nèi)的芯片要至少達(dá)到70%。
在這種發(fā)展目標(biāo)之下，國內(nèi)存儲芯片的產(chǎn)值至少要增加3.3倍，年復(fù)合增長率要達(dá)到34%才能實現(xiàn)目標(biāo)，因此我國的存儲芯片市場還有較大的市場容量，同時隨著中國在電子制造領(lǐng)域水平不斷提高，存儲芯片市場的未來發(fā)展空間廣闊。
三、國內(nèi)存儲芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈區(qū)域分布，呈現(xiàn)分散式分布
中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)中的企業(yè)呈現(xiàn)分散式分布，主要以廣東、江蘇、上海、北京和浙江等東部地區(qū)為主，其中在存儲芯片制造方面，具有代表性的企業(yè)有兆易創(chuàng)新、長鑫存儲、武漢新芯和普冉股份等；主要原材料企業(yè)包含飛凱材料、上海新陽和強(qiáng)力新材等。
四、市場布局未實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)
由于存儲芯片產(chǎn)業(yè)本身具有技術(shù)密集的特點(diǎn)，并且與國外相比，中國存儲芯片行業(yè)起步階段較晚，在技術(shù)創(chuàng)新等缺乏經(jīng)驗積累，雖然國內(nèi)的存儲芯片企業(yè)逐漸完善NAND和DRAM等存儲芯片類型的市場布局，但是由于缺乏技術(shù)創(chuàng)新和經(jīng)驗，還未實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)，是阻礙中國存儲芯片發(fā)展的重要因素之一。
五、國家出臺政策推動存儲芯片制造領(lǐng)域良率
近幾年我國陸續(xù)地出臺相關(guān)政策對存儲芯片行業(yè)發(fā)展進(jìn)行規(guī)劃和指導(dǎo)，2019年國家工信部發(fā)布《關(guān)于政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議提案答復(fù)的函》提出將持續(xù)支持中國半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展，推動存儲芯片制造領(lǐng)域良率。

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