隨著全球信息化的進(jìn)程加快，人工智能、AR/VR、和物聯(lián)網(wǎng)迅速崛起，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈下游的需求強(qiáng)勁，在一定程度上推動(dòng)了其市場(chǎng)發(fā)展，同時(shí)也陸續(xù)地暴露出了很多問(wèn)題，比如現(xiàn)有的存儲(chǔ)芯片不能滿(mǎn)足新興產(chǎn)業(yè)的需求，全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)化路徑尚未明確，未來(lái)發(fā)展還存在較多的不確定性。

存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)：DRAM技術(shù)創(chuàng)新將是重點(diǎn)，3D化將引領(lǐng)NAND閃存發(fā)展
從主要的存儲(chǔ)芯片細(xì)分市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，由于DRAM所占的市場(chǎng)份額較高，其技術(shù)創(chuàng)新將是發(fā)展重點(diǎn)，主要原理是通過(guò)縮小制程提高存儲(chǔ)密度，特別是當(dāng)制程工藝進(jìn)入20nm以后，制程難度將會(huì)大幅度提升，此時(shí)對(duì)存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)的考驗(yàn)難度比較大，一些廠商將技術(shù)重點(diǎn)聚焦于提升二代和三代技術(shù)，以此達(dá)到提高存儲(chǔ)密度的目標(biāo)，提高其產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。目前市場(chǎng)上DRAM的技術(shù)廣泛為2Xnm和1Xnm，以三星、美光和SK海力士等企業(yè)為主，占據(jù)較多的市場(chǎng)份額。
其次NAND Flash編程已經(jīng)陸續(xù)地實(shí)現(xiàn)從2D向3D轉(zhuǎn)變，通過(guò)增加存儲(chǔ)芯片的堆疊層數(shù)來(lái)增大存儲(chǔ)容量，同時(shí)光刻次數(shù)也會(huì)增加。

未來(lái)幾年之內(nèi)存儲(chǔ)芯片的價(jià)格有望繼續(xù)上漲，市場(chǎng)需求旺盛
到2021年12月，亞馬遜和微軟等企業(yè)的存儲(chǔ)芯片的訂單急劇增加，同時(shí)三星電子的股價(jià)上漲了約12%，隨著市場(chǎng)對(duì)游戲、會(huì)議和視頻等服務(wù)的需求逐漸加強(qiáng)，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格有望在未來(lái)幾年之內(nèi)繼續(xù)上漲。
中美市場(chǎng)推動(dòng)全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展
中美市場(chǎng)是存儲(chǔ)芯片行業(yè)的主要需求和生產(chǎn)國(guó)家之一，中國(guó)國(guó)內(nèi)一些企業(yè)發(fā)展勢(shì)頭迅猛，同時(shí)由于國(guó)家大力扶持半導(dǎo)體行業(yè)，通過(guò)政策引導(dǎo)和資金支持，鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)進(jìn)行技術(shù)研發(fā)，縮小與國(guó)外技術(shù)的差距，企業(yè)對(duì)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的替代進(jìn)程將會(huì)加快，根據(jù)北京研精畢智預(yù)測(cè)，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)到2026年有望突破2000億美元，其中中國(guó)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)提高到5598億元，占市場(chǎng)比重約為40%左右。
目前對(duì)于DRAM存儲(chǔ)芯片，在全球市場(chǎng)整體中占比最大，雖然個(gè)別細(xì)分產(chǎn)品市場(chǎng)占比有小幅度的波動(dòng)，但是整體保持穩(wěn)定，在手機(jī)、服務(wù)器、PC和消費(fèi)電子領(lǐng)域市場(chǎng)占比將會(huì)基本不變。
存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)下游重要的細(xì)分市場(chǎng)之一，在5G時(shí)代來(lái)臨的背景之下，還有全球新冠疫情期間線(xiàn)上辦公場(chǎng)景應(yīng)用的促進(jìn)，智能手機(jī)和平板電腦也將會(huì)給存儲(chǔ)芯片行業(yè)帶來(lái)新的市場(chǎng)需求擴(kuò)容，對(duì)行業(yè)發(fā)展帶來(lái)一定的影響。
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