據(jù)市場調(diào)研發(fā)現(xiàn)，2月18日，工業(yè)和信息化部辦公廳發(fā)布《關(guān)于組織開展算力強基揭榜行動的通知》，將面向計算、存儲、網(wǎng)絡(luò)、應(yīng)用、綠色、安全等六大重點方向，發(fā)掘一批掌握關(guān)鍵核心技術(shù)、具備較強創(chuàng)新能力的企事業(yè)單位，突破一批標志性技術(shù)產(chǎn)品和方案。

計算方面，攻關(guān)智能算力管理、算力加速等技術(shù)，提高計算性能與效率；存儲方面，研發(fā)多介質(zhì)存儲設(shè)備管理、跨域存儲資源池協(xié)同等技術(shù)，實現(xiàn)海量數(shù)據(jù)可靠與靈活存儲；網(wǎng)絡(luò)方面，突破算內(nèi)網(wǎng)絡(luò)與算間網(wǎng)絡(luò)等技術(shù)，促進算力資源高速互聯(lián)；應(yīng)用方面，加強算力與行業(yè)深度融合，實現(xiàn)多場景便捷用算；綠色方面，研發(fā)新型制冷、碳排放感知優(yōu)化等技術(shù)，推動算力設(shè)施節(jié)能降碳；安全方面，推動智能監(jiān)測、運維機器人等技術(shù)發(fā)展，保障算力中心可靠運行。

例如存儲方面，針對單一存儲介質(zhì)難以滿足多樣化數(shù)據(jù)存儲需求的現(xiàn)狀，依托磁、光、電存儲在性能、壽命、功耗等方面的差異化特性，將磁、光、電存儲技術(shù)進行融合，研發(fā)磁光電融合存儲系統(tǒng)，構(gòu)建基于固態(tài)硬盤（SSD）、機械硬盤（HDD）和光存儲的多級存儲架構(gòu)。根據(jù)業(yè)務(wù)特征，將數(shù)據(jù)保存在不同級別的存儲設(shè)備中，實現(xiàn)海量數(shù)據(jù)的集中、統(tǒng)一存儲管理，支撐算力中心高效、低碳、安全持續(xù)發(fā)展。

預(yù)期到2026年，研發(fā)磁、光、電融合存儲系統(tǒng)，支持適配分布式文件、分布式塊和分布式對象等至少3種存儲類型，系統(tǒng)可以根據(jù)數(shù)據(jù)的訪問時間、訪問頻率、文件屬性等自定義分級策略，根據(jù)業(yè)務(wù)負載動態(tài)調(diào)整遷移。系統(tǒng)可通過介質(zhì)安全、系統(tǒng)安全、軟件安全等夯實底層安全能力，通過防勒索、加密算法、遠程監(jiān)控、光存儲預(yù)警檢測等增強數(shù)據(jù)安全能力。打造磁光電融合存儲應(yīng)用示范，完成至少20個業(yè)務(wù)系統(tǒng)應(yīng)用，實現(xiàn)至少4個東部地區(qū)數(shù)據(jù)流動至西部磁光電存儲系統(tǒng)，且數(shù)據(jù)存儲量不少于10PB。

網(wǎng)絡(luò)方面，開展基于芯粒（Chiplet）和第五代精簡指令集（RISC-V）技術(shù)的軟硬件一體DPU芯片技術(shù)研究，支持算力中心、智算中心、超算中心場景所需的超高帶寬和超低時延，突破Chiplet異構(gòu)芯片封裝技術(shù)、高速Serdes通信、大規(guī)模無損網(wǎng)絡(luò)擁塞算法、硬件密碼算法、高性能虛擬化、硬件可編程等技術(shù)，實現(xiàn)基于ARM、X86、RISC-V等異構(gòu)核心的DPU應(yīng)用，提升算力中心基礎(chǔ)設(shè)施處理能力和數(shù)據(jù)傳輸能效比。

預(yù)期目標：到2026年，完成超高性能DPU芯片研發(fā)工作，吞吐能力達到400Gbps，單向流量時延不高于30us，支持與國內(nèi)外主流CPU、GPU芯片平臺的適配，支持主流操作系統(tǒng)兼容，支持數(shù)據(jù)報文硬件處理邏輯可編程。

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