
一、行業(yè)資訊
1、Wolfspeed 全球最大、最先進的碳化硅工廠封頂
全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed, Inc. (美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。“John Palmour 碳化硅制造中心”將制造200mm 碳化硅(SiC)晶圓,顯著擴大Wolfspeed 材料產(chǎn)能,滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI 人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。
2、賽微電子擬收購賽萊克斯北京剩余28.5%股權(quán)
3月24日,賽微電子日前發(fā)布關(guān)于全資子公司收購控股子公司部分股權(quán)暨關(guān)聯(lián)交易的公告。據(jù)披露,賽微電子擬通過全資子公司北京賽萊克斯國際科技有限公司收購國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司持有的公司控股子公司賽萊克斯微系統(tǒng)科技(北京)有限公司28.5%股權(quán)。本次交易完成后,公司將實現(xiàn)對賽萊克斯北京的全資控股。本次交易對方國家集成電路基金為持有公司10.05%股權(quán)的股東,為公司第二大股東且持有公司股份5%以上。
3、宏微科技取得電動汽車用IGBT或MOSFET版圖結(jié)構(gòu)專利,IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小
據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告,江蘇宏微科技股份有限公司取得一項名為“一種電動汽車用IGBT或MOSFET版圖結(jié)構(gòu)“,授權(quán)公告號CN107942615B,申請日期為2017年12月。專利摘要顯示,本發(fā)明屬于電動汽車晶體管技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種電動汽車用IGBT或MOSFET版圖結(jié)構(gòu)。其包括IGBT或MOSFET版,所述IGBT或MOSFET版上間隔設(shè)置若干列溝槽,所述同一列溝槽重復(fù)斷開,所述同一列溝槽斷開間距0.6um,所述同一列溝槽斷開間距的中間設(shè)置發(fā)射極接觸孔。
二、政策梳理
商務(wù)部:中方歡迎各國半導(dǎo)體企業(yè)來華投資合作
國商務(wù)部新聞發(fā)言人何亞東21日稱,中方歡迎各國半導(dǎo)體企業(yè)來華投資合作,共同為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定健康發(fā)展作出貢獻。報道稱美國拜登政府準(zhǔn)備為芯片公司英特爾、三星和臺積電等各提供數(shù)十億美元的補助及貸款,協(xié)助它們在美國擴大生產(chǎn)。分析指出,美國此舉是為了在半導(dǎo)體供應(yīng)上減少對中國大陸和臺灣地區(qū)產(chǎn)源的依賴。對此,何亞東在當(dāng)天舉行的新聞發(fā)布會上說,美方泛化國家安全概念,濫用出口管制等措施,人為割裂全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。
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